Cr和W掺杂的单层MoS2电子结构的第一性原理研究

摘要：

采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波赝势方法,研究了Cr和W掺杂对单层二硫化钼(MoS2)晶体的电子结构性质的影响.计算结果表明:当掺杂浓度较高时, W对MoS2的能带结构几乎没有影响,而Cr的掺杂则影响很大,表现为能带由直接带隙变为间接带隙,且禁带宽度减小.通过进一步分析,得出应力的产生是导致Cr掺杂的MoS2电子结构变化的最直接的原因.

关键词：二硫化钼、掺杂、电子结构、第一性原理

在线出版日期：2013-03-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：304-309