InGaAs薄膜表面的粗糙化过程

摘要：

采用 STM 分析 InGaAs 表面形貌演变研究 InGaAs 表面的粗糙化和预粗糙化等相变过程,特别针对In0.15Ga0.85As薄膜表面预粗糙化过程进行了深入研究.发现In0.15Ga0.85As薄膜在不同的衬底温度和As等效束流压强下表现出不同的预粗糙化过程.在低温低As等效束流压强下,薄膜表面将经历从有序平坦到预粗糙并演变成粗糙的过程,起初坑的形成是表面形貌演变的主要形式,随着退火时间的延长,大量坑和岛的共同形成促使表面进入粗糙状态;在高温高As等效束流压强下薄膜表面将率先形成小岛,退火时间延长后小岛逐渐增加并最终达到平衡态,表面形貌将长期处于预粗糙状态.

关键词：InGaAs薄膜、粗糙化、预粗糙化

在线出版日期：2013-03-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：283-288