总剂量辐照条件下部分耗尽半导体氧化物绝缘层N沟道金属氧化物半导体器件的三种kink效应

摘要：

研究了0.8μm SOINMOS晶体管,经过剂量率为50 rad (Si)/s的60Coγ射线辐照后的输出特性曲线的变化趋势.研究结果表明,经过制造工艺和版图的优化设计,在不同剂量条件下,该样品均不产生线性区kink效应.由碰撞电离引起的kink效应,出现显著变化的漏极电压随总剂量水平的提高不断增大.在高剂量辐照条件下,背栅ID-VSUB曲线中出现异常的“kink”现象,这是由辐照诱生的顶层硅膜/埋氧层之间的界面陷阱电荷导致的.

关键词：总剂量效应、kink效应、碰撞电离、背栅异常跨导

在线出版日期：2013-03-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：244-249