纳米压印技术制备表面光子晶体LED的研究

摘要：

利用表面光子晶体能大幅提高发光二极管(LED)的外量子效率,但如何制备大面积的纳米光子晶体是该研究方向的主要难点之一.本文基于纳米压印技术在氮化镓基发光二极管(GaN-LED)表面制作孔状二维光子晶体.通过以金属和聚合物双层掩膜干法刻蚀法,得到了很好的光子晶体图形转移效果.最终在LED的p-GaN层表面获得了大面积光子晶体,周期为450 nm,纳米孔直径为240 nm.器件测试结果显示,有表面光子晶体的LED比没有光子晶体的LED,光致发光强度峰值提高到了7.2倍.

关键词：光子晶体、纳米压印、发光二极管

在线出版日期：2013-03-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：237-243