非晶FezZn1-xO薄膜的结构、磁性和电性能:
采用射频共溅射方法制备了FezZn1-xO(x=0.80,0.86,0.93)非晶薄膜,该薄膜具有较强的室温铁磁性,制备态的Fe093Zn0.07O的饱和磁化强度Ms可达333.29emu/cm3,磁性能是各向同性的.与多晶的FezZn1-xO(z≤20%)不同的是样品出现了明显的异常霍尔效应(AHE),样品均为n型半导体,载流子浓度约为10^19-10^20cm^-3.退火后的样品在低温222K下存在着电阻极小值现象.薄膜的低温电阻导电机理属于自旋依赖的电子变程跃迁机理,上述实验结果表明高Fe含量的非晶FeZnO体系有作为新型自旋电子学器件材料的可能.
非晶FeZnO、异常霍尔效应、磁性半导体、自旋极化的输运
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TN304.23(半导体技术)
福建省自然科学基金2010J01305,E0510027;泉州市科技项目计划2009G8;福建省高校服务海西建设重点项目A100资助的课题
2013-04-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共8页
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