非晶FezZn1-xO薄膜的结构、磁性和电性能：

摘要：

采用射频共溅射方法制备了FezZn1-xO（x=0．80，0．86，0．93）非晶薄膜，该薄膜具有较强的室温铁磁性，制备态的Fe093Zn0．07O的饱和磁化强度Ms可达333．29emu／cm3，磁性能是各向同性的．与多晶的FezZn1-xO（z≤20％）不同的是样品出现了明显的异常霍尔效应（AHE），样品均为n型半导体，载流子浓度约为10^19-10^20cm^-3．退火后的样品在低温222K下存在着电阻极小值现象．薄膜的低温电阻导电机理属于自旋依赖的电子变程跃迁机理，上述实验结果表明高Fe含量的非晶FeZnO体系有作为新型自旋电子学器件材料的可能．

关键词：非晶FeZnO、异常霍尔效应、磁性半导体、自旋极化的输运

所属期刊栏目：61

分类号：TN304.23(半导体技术)

资助基金：福建省自然科学基金2010J01305,E0510027;泉州市科技项目计划2009G8;福建省高校服务海西建设重点项目A100资助的课题

在线出版日期：2013-04-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：482-489