富硅氮化硅/c—Si异质结中的电流输运机理研究
采用对靶磁控溅射方法在P型晶体硅(c—Si)衬底上沉积n型富硅氮化硅(SiNx)薄膜,形成了富硅SiNx/c—Si异质结.异质结器件呈现出较高的整流比,在室温下当V=4-2V时为1.3×10^3.在正向偏压下温度依赖的J—V特性曲线可以分为三个明显不同的区域.在低偏压区载流子的输运满足欧姆传输机理,在中间偏压区的电流是由载流子的隧穿过程和复合过程共同决定的,在较高偏压区的电输运以具有指数陷阱分布的空间电荷限制电流(SCLC)传输机理为主.
对靶磁控溅射、富硅氮化硅、异质结、传输机理
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TN383.1(半导体技术)
国家自然科学基金60940020;河北省自然科学基金E2012201059;河北省重点基础研究项目12963930D资助的课题
2013-04-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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