富硅氮化硅／c—Si异质结中的电流输运机理研究

摘要：

采用对靶磁控溅射方法在P型晶体硅（c—Si）衬底上沉积n型富硅氮化硅（SiNx）薄膜，形成了富硅SiNx／c—Si异质结．异质结器件呈现出较高的整流比，在室温下当V=4-2V时为1．3×10^3．在正向偏压下温度依赖的J—V特性曲线可以分为三个明显不同的区域．在低偏压区载流子的输运满足欧姆传输机理，在中间偏压区的电流是由载流子的隧穿过程和复合过程共同决定的，在较高偏压区的电输运以具有指数陷阱分布的空间电荷限制电流（SCLC）传输机理为主．

关键词：对靶磁控溅射、富硅氮化硅、异质结、传输机理

所属期刊栏目：61

分类号：TN383.1(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金60940020;河北省自然科学基金E2012201059;河北省重点基础研究项目12963930D资助的课题

在线出版日期：2013-04-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：476-481