考虑量子效应的高k栅介质SOIMOSFET特性研究
本文主要研究考虑量子效应的高k栅介质SOIMOSFET器件特性．通过数值方法自治求解薛定谔方程和泊松方程，得到了垂直于SiO2／Si界面方向上载流子波函数及能级的分布情况，结合Young模型，在考虑短沟道效应和高庀栅介质的情况下，对SOIMOSFET的阈值电压进行模拟分析．结果表明：随着纵向电场的增加，量子化效应致使反型层载流子分布偏离表面越来越严重，造成了有效栅氧化层厚度的增加和阈值电压波动．采用高向栅介质材料，可以减小阈值电压，抑制DIBL效应．较快的运算速度保证了模拟分析的效率，计算结果和ISE仿真结果的符合说明了本文的模型精度高．
量子化效应、高k材料、SOI、MOSFET、阈值电压
61
TN386(半导体技术)
国家自然科学基金61076097,60936005;教育部科技创新工程重大项目培育资金708083;中央高校基本科研业务费专项资金20110203110012资助的课题
2013-04-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
470-475
