单层硅Si6H4Ph2的稳定性和电子结构密度泛函研究

摘要：

采用密度泛函计算方法，研究了二维单层硅Si6H4Ph2的稳定性及其电子结构．通过对纯硅纳米片Si6、加氢钝化的硅纳米片Si6H6以及添加苯基钝化的硅纳米片Si6H4Ph2对比研究，揭示了Si6H4Ph2的稳定性机理．通过电子结构研究，发现Si6H4Ph2与Si6H6类似，显示间接带隙半导体性质．

关键词：单层硅Si6H4Ph2、稳定性、电子结构、密度泛函

所属期刊栏目：61

分类号：O641.121(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：国家自然科学基金10974096,11004107;高等学校博士学科点专项科研基金20103219110032,20113219110032资助的课题

在线出版日期：2013-04-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：437-442