低剂量率60Coγ辐线辐照下SOIMOS器件的退化机理

摘要：

本文通过实验分析了O．8μm工艺H形栅SOIMOS器件在低剂量率下的1射线总剂量效应．实验结果表明，总剂量相同时，低剂量率的辐照效应更严重，关态偏置条件下的阈值电压漂移大于开态，辐照引起NMOS器件发生kink效应时的漏极电压％升高．研究结果表明：界面态对PMOS器件亚阈值斜率和跨导退化的影响作用不同，主要原因是栅极偏置不同使起作用的界面态数量不同．

关键词：低剂量率、总剂量效应、kink效应、跨导

所属期刊栏目：61

分类号：TN432.05(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金61076097,60976068,60936005;教育部科技创新工程重大项目培育资金708083;中央高校基本科研业务费专项资金20110203110012资助的课题

在线出版日期：2013-04-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：403-409