532nm长脉冲激光致GaAs热分解损伤的半解析法分析

摘要：

考虑到GaAs具有受热分解的特性，采用热传导理论和半解析法研究了波长532nm的毫秒量级长脉冲激光致GaAs的表面热分解损伤．首先，建立了激光辐照GaAs的二维轴对称瞬态温度场及表面热分解损伤阈值的计算模型，模拟了吸收率不同时，GaAs的瞬态温度场分布及热分解损伤阈值．计算结果表明：较高的吸收率引起GaAs表面的温升较高，但所需的热分解损伤阈值较低；增加作用激光能量密度，GaAs表面发生热分解损伤随之提前．本文研究结果对激光与GaAs相互作用及其损伤机理的研究具有指导意义和实用价值．

关键词：长脉冲激光、热分解损伤、半解析法、GaAs

所属期刊栏目：61

分类号：O6-3

资助基金：吉林省科技支撑重点项目2010PT资助的课题

在线出版日期：2013-04-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：295-301