InAs双壁管状团簇及双壁纳米管结构、稳定性和电子特性的第一性原理研究
利用第一性原理研究InAs双壁管状团簇及其双壁纳米管的几何结构、稳定性和电子特性.几何结构分析表明,In(3pk+4p)/2As(3pk+4p)/2(p=6,8,10,k=3,4,…,11)双壁管状团簇的几何构型符合欧拉公式,并得到In(3pk+4p)/2As(3pk+4p)/2双壁管状团簇及(m,n)@(2m,2n)(m=n=3,4,5)型InAs纳米管的管径公式.电子特性的计算结果表明:[6,k]@[12,k+2]型管状团簇和(3,3)Q(6,6)型纳米管稳定性最高;利用前线轨道随尺寸的变化规律,得到InAs双壁管状团簇的生长机理,阐明实验合成InAs纳米管的微观机理;态密度和能带研究结果表明,InAs双壁管状团簇及双壁纳米管都具有半导体特性.
双壁管状团簇、双壁纳米管、管径公式、态密度
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O561.2(分子物理学、原子物理学)
新疆维吾尔自治区理论物理重点学科基金LLWLY201105;新疆师范大学研究生创新基金20121217;新疆维吾尔自治区自然科学基金2010211A21;新疆维吾尔自治区高校科研计划重点项目XJEDU2009127资助的课题
2013-04-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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