分子束外延生长InGaN／A1N量子点的组分研究

摘要：

报道了分子束外延生长的绿光波段InGaN／A1N量子点材料，并综合考虑InGaN量子点的应变弛豫，以及应力和量子限制斯塔克效应对量子点发光波长的影响，提出了一种结合反射式高能电子衍射原位测量与光致荧光测量确定InGaN量子点组分的方法．

关键词：InGaN、量子点、反射式高能电子衍射

所属期刊栏目：61

分类号：TN304.26(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61176015,61176059,60723002,60977022,51002085;国家重点基础研究发展计划2011CB301902,2011CB301903;国家高技术研究发展计划2011AA03A112,2011AA03A106,2011AA03A105资助的课题

在线出版日期：2013-01-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：479-483