反位缺陷对碳化硅纳米管电子结构和光学性质影响研究

摘要：

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算对含有反位缺陷（5，5）单壁碳化硅纳米管的电子结构和光学性质进行了研究．纳米管进行结构优化的结果显示，Csi缺陷在纳米管表面形成了凹陷，Sic缺陷形成了凸起；反位缺陷在纳米管的导带底附近形成了缺陷能级，使纳米管表现出n型导电的特点，由价带顶到缺陷能级的跃迁，在垂直和平行于纳米管管轴方向上形成了新的介电峰．

关键词：碳化硅纳米管、反位缺陷、电子结构、光学性质

所属期刊栏目：61

分类号：O613.7(无机化学)

资助基金：中国博士后科学基金201104619;陕西省教育厅自然科学基金2010JK775资助的课题

在线出版日期：2013-01-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：446-451