应变Ge空穴有效质量的各向异性与各向同性

摘要：

在利用k·P微扰理论获得应变Ge／Sil-xGex价带E（k）-k关系的基础上，研究得到了（001），（101），（111）面应变Ge／Sil-xGex沿不同晶向及各向同性的价带空穴有效质量．结果显示，应变Ge／Sil-xGex沿各晶向的带边有效质量随应力增大而减小，且沿[010]晶向最小；子带空穴有效质量在应力较大时变化不明显，并且在数值上与带边空穴有效质量相差不大．最后利用各向同性有效质量与文献结果进行比对，验证了结果的正确性．

关键词：应变Ge、Sil-xGex、空穴有效质量、价带结构各向异性与各向同性

所属期刊栏目：61

分类号：O471.1(半导体物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划6139801-1资助的课题

在线出版日期：2013-01-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：404-409