点缺陷对硼掺杂直拉硅单晶p／p＋外延片中铜沉淀的影响

摘要：

系统研究了点缺陷对晶体硅中氧沉淀生成的影响，及点缺陷和氧沉淀对重掺硼直拉硅单晶P／P＋外延片中铜沉淀的影响．样品先在不同的气氛下进行1250℃／60S快速热处理，随后在750℃／8h＋1050℃／16h常规热处理过程中引入铜沾污．通过腐蚀结合光学显微镜研究发现，以O2作为保护气氛时，P＋衬底中的沉淀密度较小，以Ar和N2作为保护气氛时，重掺硼p＋衬底中生成了高密度的沉淀，且在上述所有样品的外延层中均无缺陷生成．研究认为，以O2作为保护气时引入的自间隙硅原子（SiI）可以抑制沉淀的形成，而以Ar和N2作为保护气氛时引入的空位则会促进沉淀的生成，这是导致此差异的主要原因．另外，研究还发现，p/p＋外延结构能很好地吸除硅片中的铜杂质，从而保持了外延层的洁净．

关键词：点缺陷、重掺硼、外延片、铜沉淀

所属期刊栏目：61

分类号：TN304.12(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金50902116;福建省重大平台建设基金2009J1009资助的课题

在线出版日期：2013-01-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：369-373