生长在Si基底上VOx纳米管形貌的时间影响因子及其气敏性初探
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生长在Si基底上VOx纳米管形貌的时间影响因子及其气敏性初探

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采用水热法成功制备了在Si基底上的钒氧化物纳米管.通过X射线衍射、拉曼光谱、扫描电子显微镜对纳米管的结构和形貌进行了表征,测试了在不同的搅拌时间和水热反应时间下纳米管形貌的变化以及气敏性质.着重探讨了不同的搅拌时间和水热反应时间对样品形貌和气敏特性的影响.结果表明,水热反应时间越长,样品管状形貌越好,边缘越平滑.其气敏敏感度越好,响应时间也比水热反应时问短的样品要快.VOx纳米管内径分布在25-35nm,外径分布在65-100nm.

水热法、VOx纳米管、反应时间、气敏

61

TN872(无线电设备、电信设备)

2013-01-27(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共7页

362-368

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61

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