基于栅绝缘层表面修饰的有机场效应晶体管迁移率的研究进展

摘要：

栅绝缘层的表面性质对有机场效应晶体管（OFETs）的半导体薄膜的形貌、晶粒生长的有序性和载流子的传输有着重大的影响．研究表明，通过改进栅绝缘层的表面性质，可以有效提高有机场效应晶体管的迁移率．本文综述了OFETs绝缘层表面的粗糙度和表面能对OFETs迁移率的影响，重点探讨了栅绝缘层表面修饰常用的方法，即自组装单层（SAMs）修饰和聚合物修饰与迁移率改进之间的研究进展．最后，展望了该研究方向未来可能的发展趋势．

关键词：有机场效应晶体管、场效应迁移率、栅绝缘层、表面修饰

所属期刊栏目：61

分类号：TN3(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划2009CB930600,2012CB933301,2012CB723402;国家自然科学基金61077070,21144004,60977023;教育部博士点基金20113223120003;江苏省自然科学基金BK2011761,SBK201122680;江苏省高校自然科学基础研究面上项目11KJB510017;南京邮电大学人才科研启动基金NY211022,NY210002,NY210030;江苏省高校优秀科技创新团队TJ209035

在线出版日期：2013-04-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共12页

页码：570-581