GaN基LED量子阱内量子点发光性质的模拟分析

摘要：

采用模拟计算的方法，运用量子点模型对GaN基LED器件中不同尺寸量子点的电致发光光谱进行模拟分析，并对器件结构中电子空穴浓度，辐射复合强度进行了研究．分析结果显示，随着量子点尺寸的增大，量子点发光波长存在红移，当圆柱状量子点半径从1．8nm增长到13nm时，波长红移309．6meV,在量子阱中生长单一尺寸的量子点可以达到不同波长的单色发光器件，而在不同量子阱中生长不同尺寸的量子点可以实现多波长发光，以及单颗LED的白色显示，并通过调节量子点的分布密度达到调节各发光波长强度的目的．结果表明，量子点分布密度调节之后多波长发光均匀性得到有效改善．

关键词：GaN、量子点、尺寸效应、多波长LED

所属期刊栏目：61

分类号：O482.31(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60877069;广东省战略性新兴产业专项资金LED产业项目2011A081301004,2012A080304006资助的课题

在线出版日期：2013-04-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：409-414