F离子注入新型Al0．25Ga0．75N／GaNHEMT器件耐压分析

摘要：

为了缓解AlGaN／GaNhighelectronmobilitytransistors（HEMT）器件n型GaN缓冲层高的泄漏电流，本文提出了具有氟离子注入新型Al0．25Ga0．75N／GaNHEMT器件新结构．首先分析得出n型GaN缓冲层没有受主型陷阱时，器件输出特性为欧姆特性，这样就从理论和仿真方面解释了文献生长GaN缓冲层掺杂Fe，Mg等离子的原因．利用器件输出特性分别分析了栅边缘有和没有低掺杂漏极时，氟离子分别注入源区、栅极区域和漏区的情况，得出当氟离子注入源区时，形成的受主型陷阱能有效俘获源极发射的电子而减小GaN缓冲层的泄漏电流，击穿电压达到262v通过减小GaN缓冲层体泄漏电流，提高器件击穿电压，设计具有一定输出功率新型A1GaN／GaNHEMT提供了科学依据．

关键词：AlGaN/GaN、HEMT、氟离子、击穿电压

所属期刊栏目：61

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金青年科学基金61106076;国家自然科学基金重点项目61234006资助的课题

在线出版日期：2013-04-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：402-408