Si衬底上生长的MnSi薄膜和MnSi1．7纳米线的STM和XPS分析

摘要：

本文采用分子束外延方法制备出MnSi薄膜和MnSi1．7纳米线，利用扫描隧道显微镜进行观察，采用X射线光电子能谱仪系统地分析了MnSi薄膜和MnSi1．7纳米线的Mn2p和Si2p．结果表明厚度为-0．9nm的MnSi薄膜表面为／3×／3重构，MnSi1．7纳米线长50ff--1500nm，宽16—18nm，高-3nm．MnSi薄膜的Mn2p1／2和Mn2p3／2峰位与MnSil．7纳米线相同，均分别为649．7eV和638．7ev结合能在640-645eV和-653．8eV处的锰氧化合物的Mn2ps／2和Mn2p1／2峰证明在短暂暴露于空气中后MnSi薄膜和MnSi1．7纳米线表面有氧化层形成．相对于纯si的si2p谱，两种锰硅化合物的Si2p谱向低结合能方向发生了位移，表明随着锰硅化合物的形成Si的化学环境发生了变化．

关键词：X射线光电子能谱、扫描隧道显微镜、纳米线、薄膜

所属期刊栏目：61

分类号：O484.1(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金61176017;上海市教育委员会科研创新项目12ZZ025资助的课题

在线出版日期：2013-04-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：395-401