应变对单层二硫化钼能带影响的第一性原理研究

摘要：

采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波赝势方法，研究了双轴拉应变下单层二硫化钼晶体的电子结构性质．本文的计算结果表明对单层二硫化钼晶体施加一个很小的应变（0．5％）时，其能带结构由直接带隙转变为间接带隙．随着应变的增加，能带仍然保持间接带隙的特征，且禁带宽度呈现线性下降的趋势．通过对单层二硫化钼晶体态密度和投影电荷密度的进一步分析，揭示了单层二硫化钼晶体能带变化的原因．

关键词：二硫化钼、应变、能带、第一性原理

所属期刊栏目：61

分类号：O561.2(分子物理学、原子物理学)

资助基金：国家自然科学基金10904054;江西省自然科学基金2009GQW008,2010GZW0028资助的课题

在线出版日期：2013-04-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：381-385