InSb面阵探测器法线方向力学参数选取研究

摘要：

为明确InSb芯片前表面结构缺陷和背面减薄工艺对InSb芯片变形的影响，本文采用降低InSb芯片法线方向杨氏模量的方式，基于热冲击下InSb芯片的典型形变特征来探索InSb芯片力学参数的选取依据．模拟结果表明：当InSb芯片法线方向杨氏模量取体材料的30％时，最大VonMises应力值和法线方向最大应变值均出现在N电极区域，且极值呈非连续分布，这与InSb焦平面探测器碎裂统计报告中典型裂纹起源于N电极区域及多条裂纹同时出现的结论相符合．此外，InSb芯片中铟柱上方区域向上凸起，台面结隔离槽区域往下凹陷，该形变分布也与典型碎裂照片中InSb芯片的应变分布保持一致．因此，基于InSb芯片法线方向应变的判据除了能够预测裂纹起源地及裂纹分布外，还能提供探测器阵列中心区域Z方向应变分布及N电极区域Z方向的应变增强效应，为InSb芯片力学参数的选取提供了依据．

关键词：焦平面、锑化铟、结构应力

所属期刊栏目：61

分类号：TN215(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金青年科学基金61107083;航空科学基金20100142003;中国科学院力学研究所非线性力学国家重,点实验室开放基金2012007资助的课题

在线出版日期：2013-04-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：328-332