偏置条件对SOINMOS器件总剂量辐照效应的影响

摘要：

本文研究了0．8μmSOINMOS晶体管，经剂量率为50rad（Si）／s的60Coγ射线辐照之后的总剂量效应，分析了器件在不同辐照条件和测量偏置下的辐照响应特性．研究结果表明：器件辐照时的栅偏置电压越高，辐照后栅氧化层中积累的空穴陷阱电荷越多，引起的漏极泄漏电流越大．对于漏偏置为5V的器件，当栅电压大于阈值电压时，前栅ID-VG特性曲线中的漏极电流因碰撞电离而突然增大，体电极的电流曲线呈现倒立的钟形．

关键词：总剂量辐照效应、泄漏电流、栅偏置条件、碰撞电离

所属期刊栏目：61

分类号：TN386.1(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61076097,60936005;教育部科技创新工程重大项目培育资金708083;中央高校基本科研业务费专项资金200110203110012资助的课题

在线出版日期：2013-04-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：167-172