界面效应调制忆阻器研究进展

摘要：

忆阻器因其优异的非易失存储特性，且具有结构简单、存储速度快、能耗低、集成度高等优势，在新型电子器件研究领域引起了广泛关注．本文从忆阻器结构出发，对忆阻器主要材料、机理等进行了综述，介绍了忆阻器在电子电路及人工智能等领域的研究进展，重点讨论了界面效应对忆阻行为及性能改善等方面的重要作用，提出了界面纳米点嵌入结构对优化忆阻性能的显著效果，并分析了忆阻器可能的发展趋势．

关键词：忆阻器、忆阻机理、界面效应、非易失存储

所属期刊栏目：61

分类号：TN253(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金51172009,51172013,11074020;教育部新世纪优秀人才计划NCET-08-0029;高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室开放课题基金KL201209SIC资助的课题

在线出版日期：2012-12-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共11页

页码：432-442