位移辐射效应对量子阱激光器性能的影响
使用加速器对量子阱半导体激光器进行了总通量1×10-16 cm-2的电子辐照实验. 辐射实验结果表明, 在辐射环境下激光器的输出功率下降、阈值电流增加. 从理论上分析了位移效应对量子阱激光器的影响, 并推导了电子通量与相对阈值电流变化、相对输出功率变化的函数关系式. 该公式的计算结果与实验测试结果符合很好, 有效地反映了电子辐照环境下激光器的性能变化趋势. 该公式可用于预测激光器在辐射环境下的性能变化, 有着较大实际应用价值.
量子阱激光器、位移损伤、缺陷
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TN248.4(光电子技术、激光技术)
2012-12-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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