位移辐射效应对量子阱激光器性能的影响

摘要：

使用加速器对量子阱半导体激光器进行了总通量1×10-16 cm-2的电子辐照实验. 辐射实验结果表明, 在辐射环境下激光器的输出功率下降、阈值电流增加. 从理论上分析了位移效应对量子阱激光器的影响, 并推导了电子通量与相对阈值电流变化、相对输出功率变化的函数关系式. 该公式的计算结果与实验测试结果符合很好, 有效地反映了电子辐照环境下激光器的性能变化趋势. 该公式可用于预测激光器在辐射环境下的性能变化, 有着较大实际应用价值.

关键词：量子阱激光器、位移损伤、缺陷

所属期刊栏目：61

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2012-12-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：273-279