氧含量对CaCu3Ti4O12巨介电常数和介电过程的影响

摘要：

本文研究了在真空、空气和氧气中烧结制备的三种CaCu3Ti4O12陶瓷材料的介电特性．交流阻抗测量结果表明在10-300K温度范围，三种样品的介电温谱中均出现三个平台，其电阻实部和电容虚部在相应温度出现损耗峰，真空条件烧结的样品具有较高的介电平台和较明显的电阻实部与电容虚部峰值，表明氧含量和氧空位对CaCu3Ti4O12的介电性质具有重要影响，介电温谱出现的三个平台分别源于晶粒、晶界及氧空位陷阱．温谱分析表明晶粒的激活能与烧结气氛有较大关系，氧空位引起的电子短程跳跃及跳跃产生的极化子是晶粒电导和电容的主要起源．氧空位陷阱的激活能基本与烧结气氛无关，约为0．46eV．氧空位对载流子的陷阱作用是CaCu3Ti4O12低频高介电常数的重要起源．

关键词：CaCu3Ti4O12、巨介电常数、氧空位、陷阱态

所属期刊栏目：61

分类号：O636.12(高分子化学（高聚物）)

资助基金：国家自然科学基金11074067,11174073;教育部新世纪优秀人才支持计划NCET-08-0674资助的课题

在线出版日期：2012-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：456-463