新型SOANN埋层SOI器件的自加热效应研究

摘要：

本文提出了一个新型的S01埋层结构SOANN（siliconon aluminum nitride with nothing），用AIN代替传统的Si02材料，并在S01埋氧化层中引入空洞散热通道．分析了新结构S01器件的自加热效应．研究结果表明：用AIN做为S01埋氧化层的材料，降低了晶格温度，有效抑制了自加热效应．埋氧化层中的空洞，可以进一步提供散热通道，使埋氧化层的介电常数下降，减小了电力线从漏端通过埋氧到源端的耦合，有效抑制了漏致势垒降低DIBL（drain Induced barrier lowering）效应．因此，本文提出的新型SOANN结构可以提高S01器件的整体性能，具有优良的可靠性．

关键词：自加热效应、漏致势垒降低、A1N、空洞

所属期刊栏目：61

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金60976068,60936005;教育部科技创新工程重大项目培育资金项目708083;教育部博士点基金20080701001o资助的课题

在线出版日期：2012-11-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：470-475