GeSn合金的晶格常数对Vegard定律的偏离

摘要：

在Si （001）衬底上, 以高质量的弛豫Ge薄膜作为缓冲层, 先后生长Sn组分x分别为2.5%, 5.2%和7.8%的完全应变的三层Ge1-xSnx合金薄膜. 在Si （001）衬底上直接生长了X分别为0.005, 0.016, 0.044, 0.070和0.155的五个弛豫Ge1-xSnx样品. 通过卢瑟福背散射谱、高分辨X射线衍射和X射线倒易空间图等方法测量了Ge1-xSnx合金的组分 与晶格常数. 实验得到的晶格常数相对Vegard定律具有较大的正偏离, 弯曲系数b=0.211 A^°.

关键词：GeSn合金、晶格常数、Vegard定律、弯曲系数

所属期刊栏目：61

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家高技术研究发展计划2011AA010302;国家自然科学基金61036003,61176013,60906035和61177038资助的课题

在线出版日期：2012-11-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：384-388