结构参数对p-i-n结构InGaN太阳能电池性能的影响及机理

摘要：

研究了器件结构参数对p-i—n结构InGaN单结太阳能电池性能的影响及物理机制．模拟结果发现：随着InGaN禁带宽度的增加，InGaN电池的短路电流减小，但同时开路电压增加，当InGaN层的禁带宽度为1．5eV左右时，同质p-i—n结InGaN电池的效率最高，并计算了不同厚度的i层对InGaN电池效率的影响．进一步的计算表明，适当采用带宽更大的p-InGaN层形成异质p-i—n结InGaN电池可以获得更高效率，但是p-InGaN层带宽过大也会导致电池的效率急剧下降．研究还发现，采用禁带宽度更大的n—InGaN层可以形成背电场，从而增加p-i—n结InGaN太阳电池的效率．研究结果表明，适当选择P—InGaN和n-InGaN禁带宽度形成异质P—i—n结可以提高InGaN太阳能电池效率．

关键词：InGaN、太阳电池、结构参数

所属期刊栏目：61

分类号：TM911.4

资助基金：集成光电子学国家重点实验室IOSKL-KF200914;中央高校基本科研业务费2011JS049资助的课题

在线出版日期：2012-10-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：496-501