Ga掺杂对ZnO纳米结构可见光发射的抑制效应

摘要：

采用碳热还原反应和原位掺杂的方法制备了不同Ga掺杂浓度的ZnO纳米结构．x射线衍射显示掺杂纳米结构中为单一的氧化锌纤锌矿结构．扫描电子显微镜观测发现随掺杂浓度的增大，纳米结构的形貌逐渐从纳米六棱柱变为纳米锥．光致发光和x射线光电子能谱测量分别发现随着掺杂浓度升高，纳米结构的可见发光强度和其中空位氧峰相对强度逐渐减小直至消失，两者存在很强的相关性．上述结果为ZnO可见光发射的氧空位机理提供了新的实验证据．对Ga掺杂抑制纳米结构中氧空位的原因进行了分析．

关键词：Ga掺杂、ZnO纳米结构、光致发光、氧空位

所属期刊栏目：61

分类号：TN383.1(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划2011CB921403资助的课题

在线出版日期：2012-10-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：410-415