利用空间电荷限制电流方法确定三（8-羟基喹啉）铝的电子迁移率特性初步研究

摘要：

材料的迁移率是其关键电学特性之一.有机材料迁移率的研究对于有机电致发光器件、有机太阳电池、有机薄膜场效应晶体管性能的提高有重要的意义.应用简单易行的空间电荷限制电流方法,对基于三（8-羟基喹啉）铝（Alq_3）的四种单载流子器件电流密度-电压曲线特性进行研究,根据空间电荷限制电流模型,拟合出Alq_3材料在四种器件中的零场电子迁移率和电场依赖因子,并且给出Alq_3电子迁移率随外加偏压的变化趋势.实验结果表明,顶电极铝蒸镀到缓冲层氟化锂（1 nm）和Alq3（100 nm）的表面后,可以明显改善Alq_3的零场迁移率和电场依赖因子.认为产生这种现象的原因是氟化锂可以使铝和Alq_3发生络合反应,形成Li~（＋1）Alq~（-1）粒子,形成良好的欧姆接触,使得电子的注入效率大大提高.

关键词：空间电荷限制电流、缓冲层、迁移率、三(8-羟基喹啉)铝

所属期刊栏目：61

分类号：O614.31(无机化学)

资助基金：国家高技术研究发展计划2011AA03A110;国家重点基础研究发展计划2010CB327701;国家自然科学基金60706018,60906021,60977024,60876032,60907013;教育部高等学校博士学科点专项科研基金20070183088;吉林省科技发展计划201101034资助的课题~~

在线出版日期：2012-09-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：397-401