单载流子光电探测器的高速及高饱和功率的研究
利用载流子漂移-扩散模型,模拟并分析了InGaAs/InP单载流子光电探测器(Uni-traveling-carrier/UTC-PD)在不同条件下的物理特性及其带宽和饱和特性,结合器件实验结果分析了影响器件高速和高饱和性能的物理机理.结论表明在吸收区采用浓度渐变掺杂和增加InP崖层(cliff layer),可以显著提升器件饱和特性,高入射功率下吸收区电场崩塌是器件饱和的直接因素,直径大于20μm的UTC探测器中RC常数仍是影响带宽的主要因素.论文指出了优化器件结构、提升器件性能的有效方法.
UTC探测器、空间电荷效应、高频、高饱和
61
TN215(光电子技术、激光技术)
国家重点基础研究发展计划2006CB302802;国家自然科学基金60676005,60906035;中国科学院知识创新工程ISCAS2009T01资助的课题
2012-09-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
505-510