应变Ge/Si(1-x)Gex价带色散模型
基于k·p微扰理论,通过引入应变哈密顿量作为微扰,建立了双轴应变Ge/Si(1-x)Gex价带色散关系模型.模型适于任意晶向弛豫Si(1-x)Gex虚衬底上的应变Ge价带结构,通过该模型可获得任意k方向应变Ge的价带结构和空穴有效质量.模型的Matlab模拟结果显示,应变Ge/Si(1-X)Gex价带带边空穴有效质量随Ge组分的增加而减小,其各向异性比弛豫Ge更加显著.本文研究成果对Si基应变Ge MOS器件及集成电路的沟道应力与晶向的设计有参考价值.
应变Ge、价带结构、k·p理论、色散关系模型
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O413.1(理论物理学)
国家重点基础研究发展计划61398资助的课题
2012-09-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共7页
387-393