基于自洽GW方法的碳化硅准粒子能带结构计算

摘要：

在多体微扰理论的框架下,分别采用G0W0方法和准粒子自洽GW方法计算3C-SiC和2H-SiC的准粒子能级.由一个平均Monkhorst-Pack网格点上的准粒子能级和准粒子波函数出发,结合最局域Wannier函数插值,得到3C-SiC和2H-SiC的自洽准粒子能带结构.3C-SiC的价带顶在Γ点,导带底在X点.DFT-LDA,G0W0和准粒子自洽GW给出的3C-SiC间接禁带宽度分别为1.30eV,2.23 eV和2.88eV 2H-SiC价带顶在Γ点,导带底在K点.采用DFT-LDA,G0W0和准粒子自洽GW方法得到的间接禁带宽度分别为2.12 eV,3.12 eV和3.75 eV.计算基于赝势方法,对于3C-SiC和2H-SiC的准粒子自洽GW计算给出的禁带宽度均比实验值略大.

关键词：GW方法、最局域Wannier函数、SiC、能带结构

所属期刊栏目：61

分类号：O481(固体物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划2011CB606403;国家自然科学基金10804018资助的课题

在线出版日期：2012-09-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：381-386