基区Ge组分分布对SiGe HBTs热学特性的影响
基区Ge组分的加入可以改善SiGe HBT的直流特性、频率特性和噪声特性,但Ge组分及其分布对HBT热学特性的影响报道还很少.本文利用SILVACO半导体器件仿真工具,建立了多指SiGe HBT模型,对基区具有不同Ge组分梯度结构的SiGe HBTs的热学特性和电学特性的热稳定性进行了研究.研究发现,在Ge组分总量一定的条件下,随着Ge组分梯度的增大,器件的特征频率明显提高,增益β和特征频率fΤ随温度变化变弱,器件温度分布的均匀性变好,但增益变小;而基区均匀Ge组分（Ge组分梯度为零）的HBT的增益较大,但随温度的变化较大,器件温度分布的均匀性也较差.在此基础上,将基区Ge组分均匀分布和Ge组分缓变分布相结合,提出了兼顾器件热学特性、增益特性和频率特性的新型基区Ge组分分布-分段分布结构.结果表明,相比于基区Ge组分均匀分布的器件,新器件温度明显降低;β和fΤ保持了较高的值,且随温度的变化也较小,显示了新结构器件的优越性.这些结果对HBT的热学设计具有重要的参考意义,是对SiGe HBT性能研究的一个补充.
SiGe异质结双极晶体管(HBT)、热学特性、Ge组分分布、SILVACO
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TN325.3(半导体技术)
国家自然科学基金60776051,61006059,61006049;北京市自然科学基金4082007;北京市教委科技发展计划KM200710005015,KM200910005001;北京市优秀跨世纪人才基金67002013200301;北京市属市管高等学校人才强教服务北京计划资助的课题
2012-09-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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