高功率微波作用下热载流子引起n型金属-氧化物-半导体场效应晶体管特性退化研究

摘要：

高功率微波（HPM）通过使半导体器件特性退化和功能失效，从而干扰电子系统无法正常工作．针对金属氧化物半导体（MOS）器件的HPM效应，建立了高功率微波引起n型金属氧化物半导体场效应晶体管（nMOSFET）特性退化的物理过程与模型．器件仿真结果中nMOSFET的输出特性曲线显示栅极注入HPM引起器件特性退化，包括阈值电压正向漂移、饱和电流减小、跨导减小等；结合物理模型分析可知，HPM引起的高频脉冲电压使器件进入深耗尽状态，热载流子数目增多，热载流子效应导致器件特性退化．MOS器件的HPM注入实验结果显示，器件特性曲线、器件模型参数变化趋势与仿真结果一致，验证了HPM引起nMOSFET特性退化的物理过程与模型．

关键词：高功率微波、n型金属．氧化物-半导体场效应晶体管、热载流子、特性退化

所属期刊栏目：61

分类号：TN386.1(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金60906051资助的课题

在线出版日期：2012-07-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：485-491