Ar环境气压对纳米Si晶粒成核区范围的影响

摘要：

为了研究不同环境气压条件下纳米si晶粒成核区的范围，采用波长为308nm的XeC1脉冲准分子激光器，分别在1—200Pa的Ar气环境下，烧蚀高阻抗单晶si靶，在距离烧蚀点正下方2．0cm处水平放置一系列单晶si或玻璃衬底，沉积制备了纳米si薄膜．Raman谱和x射线衍射谱测量证实了薄膜中纳米si晶粒已经形成．扫描电子显微镜的测量结果表明，环境气压的变化影响了衬底上纳米si晶粒的平均尺寸及其分布范围．根据成核区位置的确定方法，计算得出随着环境气压的增加纳米Si晶粒成核区的范围先变宽后变窄的规律．从烧蚀动力学的角度对实验结果进行了分析．

关键词：脉冲激光烧蚀、纳米Si晶粒、环境气压、成核区

所属期刊栏目：61

分类号：O78(晶体生长)

资助基金：国家重点基础研究发展计划2011CB612305;国家自然科学基金10774036;河北省自然科学基金E2008000631,E2011201134;河北省光电信息材料重点实验室资助的课题

在线出版日期：2012-07-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：463-467