缺陷分布对Ag-SiO2薄膜电阻翻转效应的影响
通过改变制备条件,研究了Ag-Si02薄膜中的缺陷对电阻翻转效应的影响.对比不同的热处理实验条件,发现在120℃退火的样品经forming过程后具有稳定的电阻转变特性;另一方面,在Ar/O2混合气氛下生长的SiO2具有比在纯Ar下生长的样品更加稳定、重复的电阻转变特性.通过实验分析,表明热处理、电场作用和样品制备气氛可以改变、调节样品中的缺陷分布(Ag填隙原子和氧空位缺陷),从而导致Ag-Si02中基于缺陷的导电通道结构的形成和湮灭,提出了提高电阻翻转稳定性的不要条件。
电阻翻转效应、缺陷、热处理
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TB34(工程材料学)
国家重点基础研究发展规划项目2007CB925002和2009CB930803;中国科学院知识创新工程项目KJCX2-YW-W24资助的课题
2012-07-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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