Poly-Si1-χGeχ栅应变SiN型金属-氧化物-半导体场效应管栅耗尽模型研究水

摘要：

基于对Poly-Si1-χGeχ栅功函数的分析，通过求解Poisson方程，获得了Poly-Si1-χGeχ栅应变SiN型金属-氧化物-半导体场效应器件（NMOSFET）垂直电势与电场分布模型．在此基础上，建立了考虑栅耗尽的Poly-Si1-χGeχ栅应变SiNMOSFET的闽值电压模型和栅耗尽宽度及其归一化模型，并利用该模型，对器件几何结构参数、物理参数尤其是Ge组分对Poly-Si1-χGeχ栅耗尽层宽度的影响，以及栅耗尽层宽度对器件阈值电压的影响进行了模拟分析．结果表明：多晶耗尽随Ge组分和栅掺杂浓度的增加而减弱，随衬底掺杂浓度的增加而增强；此外，多晶耗尽程度的增强使得器件闽值电压增大．所得结论能够为应变Si器件的设计提供理论依据．

关键词：Poly-Si1-χGeχ、应变Si、栅耗尽、阈值电压

所属期刊栏目：61

分类号：TN386.1(半导体技术)

资助基金：中央高校基本科研业务费72105499,72104089;陕西省自然科学基础研究计划资助项目2010JQ8008;预研基金9140C090303110C0904资助的课题

在线出版日期：2012-07-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：376-383