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相变存储单元RESET多值存储过程的数值仿真研究

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使用数值仿真方法对相变随机存储器存储单元的RESET操作的多值存储过程进行了研究,建立了三维存储单元模型,用有限元法解Laplace方程及热传导方程以模拟电脉冲作用下的存储单元物性变化过程.计算出单元内相变层的相态分布及单元整体电阻,分析了单元内部尺寸变化对多值存储过程及状态的影响.结果表明,通过精确控制输入电脉冲,相变存储单元能够实现4值存储;多值存储状态受单元内相变层厚度及下电极接触尺寸变化的影响较大;存储状态在80℃的环境温度下均可保持10年以上不失效.

相变随机存储器、多值存储、数值仿真、有限元法

61

TP333(计算技术、计算机技术)

装备预研基金9140A16050109JW0506资助的课题.E-mail:hu.zuoqi@mail.hust.edu.cn

2012-07-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

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物理学报

1000-3290

11-1958/O4

61

2012,61(10)

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