新型光存储材料Sr2SnO4：Tb^3＋,Li^＋的合成及其红外上转换光激励发光性能的研究

摘要：

采用高温固相法获得了一种只具有微弱余辉的新型电子俘获型光存储材料Sr2SnO4：Tb^3＋,Li^＋.发光性能研究结果表明：该材料对980/nm的红外激光具有很好的上转换光激励信息读出响应,同时292 nm紫外光为其最佳信息写入光源.光存储性能研究结果表明：该材料的浅陷阱较少,因此其余辉发光很弱,不到500 s;另一方面,该材料中存在大量的深蓄能陷阱.因此,Sr2SnO4 Tb^3＋ Li^＋,Li~＋是一种具有较好实际应用价值的新型电子俘获型光存储材料.此外,还讨论了Sr2SnO4：Tb^3＋,Li^＋的光存储发光机理.

关键词：Sr2SnO4、Tb^3+、Li^+、光激励发光、光存储

所属期刊栏目：61

分类号：TN213(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学青年基金10904057;国家大学生创新性实验计划101073005;中央高校科研业务费Lzjbky-2011-125资助的课题

在线出版日期：2012-09-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：464-467