单轴应变Si导带色散关系解析模型

摘要：

本文基于k·p理论框架,分析了单轴应力对导带能带结构的影响,详细讨论了剪切应力作用下布里渊区边界X点处△1和△2,能带之间的耦合作用及其对导带能谷极小值的改变,由此进一步给出了能谷极值点附近的色散关系.最后通过不同能谷之间的坐标变换,得到了任意单轴应力作用下每个能谷的色散关系.本文的研究可以为单轴应变Si材料物理性质的理解以及对反型层能带结构、电学特性的相关研究提供一定的理论参考.

关键词：单轴应力、应变Si、k.p理论、色散关系

所属期刊栏目：61

分类号：O346.2(固体力学)

资助基金：国家部委项目51308040203,6139801;中央高校基本科研业务费72105499,72104089;陕西省自然科学基础研究计划项目2010JQ8008资助的课题

在线出版日期：2012-09-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：401-408