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带有n^+深阱的三阱CMoS工艺中寄生NPN双极效应及其对电荷共享的影响

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基于三维TCAD器件模拟,研究了带有n^+深阱的90 nm三阱CMOS器件在重离子辐照下产生的电荷共享效应.研究结果表明在重离子辐照时,n^+深阱会导致寄生的NPN双极型晶体管触发,显著增强NMOS间的电荷共享,其放大因子达到双阱工艺中寄生PNP晶体管放大因子的2—4倍.进而分别研究了n阱接触和P阱接触对寄生NPN双极放大的影响,结果表明增大P阱接触的面积和减小n阱接触的距离将抑制NPN晶体管的放大作用,而增大n阱接触的面积将增强NPN的放大作用.

电荷共享、单粒子效应、n^+深阱、寄生双极型晶体管

61

TN32(半导体技术)

国家自然科学基金重点项目60836004;国家自然科学基金61006070,60906014;教育部博士点基金20104307120006资助的课题

2012-09-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共7页

360-366

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物理学报

1000-3290

11-1958/O4

61

2012,61(9)

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