L波段高阶模抑制型磁绝缘线振荡器研究
根据磁绝缘线振荡器(magnetically insulated transmission line oscillator,MILO)中基模(TM(00)模)与临近高阶模(HEM11模)高频场分布的区别,采用破坏各腔之间HEM11模π模谐振条件的方式抑制器件中高阶模产生的方法,提出了高阶模抑制型MILO.运用三维全电磁粒子模拟软件对高阶模抑制型L波段MILO器件进行模拟研究,数值模拟结果表面该方法能够抑制器件中HEM11模的产生.在此基础上对器件进行了对比性实验研究,实验结果表明高阶模抑制型器件能够抑制HEM11模的产生,稳定工作在基模.
磁绝缘线振荡器、基模、HEM11模、高功率微波
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TN753.4(基本电子电路)
国家高技术研究发展计划及中国工程物理研究院发展基金2010B0402060资助的课题
2012-09-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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