非对称HALO掺杂栅交叠轻掺杂漏围栅MOSFET的解析模型

摘要：

为抑制短沟道效应和热载流子效应,提出了一种非对称HALO掺杂栅交叠轻掺杂漏围栅MOSFET新结构.通过在圆柱坐标系中精确求解三段连续的泊松方程,推导出新结构的沟道静电势、阈值电压以及亚阈值电流的解析模型.结果表明,新结构可有效抑制短沟道效应和热载流子效应,并具有较小的关态电流.此外,分析还表明栅交叠区的掺杂浓度对器件的亚阈值电流几乎没有影响,而栅电极功函数对亚阈值电流的影响较大.解析模型结果和三维数值仿真工具ISE所得结果高度符合.

关键词：非对称HALO掺杂、栅交叠轻掺杂漏、围栅MOSFET、解析模型

所属期刊栏目：61

分类号：TN386.1(半导体技术)

资助基金：中央高校基本科研业务费专项资金K50511250001;国家自然科学基金61076101资助的课题~~

在线出版日期：2012-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：536-543