基于辐照前1/f噪声的金属-氧化物-半导体场效应晶体管潜在缺陷退化模型

摘要：

基于金属-氧化物-半导体-场效应管（MOSFET）辐射损伤的微观机理,推导出了MOSFET经历辐照之后氧化层空穴俘获与阈值电压漂移之间关系的表达式.又根据MOSFET中1/f噪声产生的微观机理,建立了辐照之前MOSFET的1/f噪声功率谱幅值与阈值电压漂移量之间的定量关系,并通过实验予以验证.结果表明,辐照之前的1/f噪声功率谱幅值与辐照之后的阈值电压漂移量存在正比例关系,阈值电压漂移量可以反映出MOSFET内部的潜在缺陷的退化程度,因此,该模型有助于利用1/f噪声参量来表征MOSFET内部潜在缺陷的数量和严重程度.

关键词：1/f噪声、潜在缺陷、界面陷阱、氧化层陷阱

所属期刊栏目：61

分类号：TN386.1(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金60276028资助的课题

在线出版日期：2012-06-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：446-452