新型高速半导体器件IMOS阈值电压解析模型
本文在研究IMOS器件结构的基础上,分析了该器件不同区域的表面电场,结合雪崩击穿条件,建立了P-IMOS的阈值电压解析模型.应用MATLAB对该器件阈值电压模型与源漏电压、栅长和硅层厚度的关系进行了数值分析,并用二维器件仿真工具ISE进行了验证.结果表明,源电压越大,阈值电压值越小;栅长所占比例越大,阈值电压值越小,硅层厚度越小,阈值电压值越小.本文提出的模型与ISE仿真结果一致,也与文献报道符合.这种新型高速半导体器件IMOS阈值电压解析模型的建立为该高性能器件及对应电路的设计、仿真和制造提供了重要的参考.
IMOS、亚阈值摆幅、雪崩击穿、阈值电压
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TN303(半导体技术)
国家部委资助项目51308040203 6139801;中央高校基本科研业务费72105499 72104089;陕西省自然科学基础研究计划资助项目2010JQ8008
2012-05-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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