波段外激光辐照光导型InSb探测器的一种新现象

摘要：

利用不同功率密度的10.6μm（光子能量为0.12 eV）连续激光辐照了禁带宽度为0.228 eV的光导型锑化铟探测器,得到了与以往报道不同的实验现象.当10.6μm波段外激光辐照光导型探测器时,探测器吸收激光能量后温度升高.在探测器的温升过程中,存在一个转变温度T_0.当探测器的温度T〈T_0时,载流子浓度基本不变,迁移率随温度的升高呈T~（-2.35）趋势下降,引起探测器的电导率减小,电阻增大,响应输出电压升高;当T〉T_0时,热激发载流子浓度随温度的升高呈指数增长,电阻急剧下降,超过了载流子迁移率降低对电阻的影响,响应输出急剧下降.光电导探测器在较高功率密度波段外激光辐照下的响应特性是载流子的浓度和迁移率在温度影响下相互作用的结果.这对进一步完善半导体内载流子输运模型提供了实验依据.

关键词：半导体探测器、波段外激光、光电导、迁移率

所属期刊栏目：61

分类号：O437(光学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划1030110

在线出版日期：2012-05-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：419-425