单轴、双轴应变Si拉曼谱应力模型

摘要：

本文依据拉曼光谱原理,基于Secular方程及拉曼选择定则分别获得了单轴、双轴（001）,（101）,（111）应变Si材料应变张量与拉曼谱线移动的定量关系,并在此基础上,基于广义胡克定律最终建立了单轴、双轴（001）,（101）,（111）应变Si材料拉曼谱峰与应力的理论关系模型.该模型建立过程详细、系统,所得结果全面、量化,可为应变Si材料应力的测试分析提供重要理论参考.

关键词：应变Si、拉曼、应力

所属期刊栏目：61

分类号：O734.2(晶体物理)

资助基金：国家部委资助项目51308040203 6139801;中央高校基本科研业务费72105499 72104089;陕西省自然科学基础研究计划项目2010JQ8008

在线出版日期：2012-05-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：407-413