分子束外延生长[111]晶向CdTe的研究
本文采用分子束外延(MBE)方法在BaF_2衬底上直接外延生长了CdTe(111)薄膜.反射高能电子衍射(RHEED)实时监控生长表面,衍射图样揭示了CdTe(111)在BaF_2表面由二维生长向三维生长的变化过程.XRD表征验证了外延生长的CdTe薄膜的单晶性质.由红外透射光谱测量和理论拟合相结合,得到了CdTe外延薄膜室温带隙宽度E_g=1.511 eV.
CdTe、分子束外延(MBE)、RHEED、XRD
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TN304.26(半导体技术)
国家自然科学基金10974174和91021020;浙江省自然科学基金Z6100117;Z111057
2012-05-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
356-360